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用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液

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本文描述的是一种蚀刻溶液，其包含水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；腐蚀抑制剂；和任选地，表面活性剂；任选地，缓冲剂，和任选地，螯合剂。这样的组合物可用于在微电子器件的制造过程中从其上具有这样的材料的微电子器件相对于锗选择性地除去硅‑锗。

著录项

公开/公告号CN110240907B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17

原文格式PDF
申请/专利权人弗萨姆材料美国有限责任公司;
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申请/专利号CN201910180147.6
发明设计人刘文达;李翊嘉;
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申请日2019-03-11
分类号C09K13/00(20060101);H01L21/3213(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人吴亦华;徐志明
地址美国亚利桑那州
入库时间 2022-08-23 12:29:40

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