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二极管; IGBT; 封装器件; 增强型; 新品; 高频; 工作频率; 联合; IR; PD;
机译:新款4.5KV高功率平面封装IGBTS
机译:穿通式IGBT和封装二极管模型可产生准确的结果
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:基于6.5kV SI-IGBT / SI-PIN二极管,6.5kV SI-IGBT / SIC-JBS二极管和10kV SiC MOSFET / SIC-JBS二极管的高功率介质 - 电压转换器的设计比较
机译:高功率二极管激光器阵列的热管理,光束控制和封装设计,以及二极管激光器阵列抽运的棒状激光器的泵浦腔设计。
机译:同时进行fNIRS-fMRI测量以验证使用多距离光电二极管分离深浅fNIRS信号的方法
机译:IRS增强型MU-MISO系统的联合符号级预编码和反射设计
机译:推出光伏电源模块货物元件的封装选项
机译:用于高电密度器件,尤其是IGBT和二极管的低电感键合无线接头封装
机译:低电感键合无线共封装,用于高功率密度器件,尤其是IGBT和二极管
机译:用于高电气密度的器件,尤其是IGBT和二极管的低电感电感无线连接封装
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