增强型

摘要： 2022年4月15日20时00分,“长征”三号B运载火箭在西昌卫星发射中心点火升空,随后将“中星”6D卫星送入预定轨道,发射任务取得圆满成功。“中星”6D卫星是由中国空间技术研究院研制的广电节目专用传输卫星,该卫星是“中星”6A卫星的接替星,采用我国自主研发的“东方红”四号增强型卫星平台。

摘要： 验证了负极铅膏中添加不同炭材料对增强型富液电池动态充电接受性能的影响。采用正交试验的方法,对不同种类炭材料,及其添加量不同时的电池动态充电接受性能、部分荷电寿命与水损耗进行了分析,确定了负极铅膏中添加炭材料的最优工艺。

摘要： 通过部署基于pfSense+pfBlockerNG的增强型网络过滤系统,提高内网用户的浏览体验及安全性。

摘要： 为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件模型的需求,本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)模型.根据耗尽型GaN HEMT器件和增强型p-GaN HEMT器件结构的对比,推导出p-GaN栅结构电压解析公式.考虑到p-GaN栅掺杂效应和物理机理,推导出栅电容和栅电流解析公式.同时,与基于表面势的高电子迁移率晶体管高级SPICE模型内核相结合,建立完整的增强型p-GaN HEMT功率器件的SPICE模型.将所建立的SPICE模型与实测结果进行对比验证.结果表明,所建立的模型准确实现了包括转移特性、输出特性、栅电容以及栅电流在内的p-GaN HEMT器件的电学特性.模型仿真数据与实测数据拟合度误差均小于5%.本文所提出的增强型p-GaN HEMT器件模型在进行电路设计时具有重要的应用价值.

摘要： 增强型中空纤维膜由于增强体与聚合物溶液之间不易达成理想结合效果,目前通常采用两种处理方式来增强两者的界面结合强度:一种为选择相容性好的增强体与成膜聚合物,合理调配聚合物溶液的质量分数;另外一种为对增强体进行碱处理、偶联剂处理、黏合剂整理以及等离子处理等.增强型中空纤维膜界面结合强度表征方法包括拔出强度、剪切强度、物理反冲洗、溶解度参数、拉伸法、超声清洗等.对上述不同类型增强型中空纤维膜的界面处理工艺以及增强型中空纤维膜界面结合强度的表征方法分别进行介绍和阐述.

摘要： 歼轰-7,即"飞豹",是我国第一款没有基准机、自力更生研制的飞机。歼轰-7A是歼轰-7的增强型,除了气动外形略做改进外,还加上了新的雷达和航电系统,歼轰-7A曾多次参加演习,是我国沿海地带演习行动中的重点机型,主要装备于海军航空兵和空军航空兵。

摘要： 该文提出了一种增强型PTP光纤级联精细时频同步方法,该方法以PTP同步技术为基础,结合同步以太网时钟传递技术和基于数字双混频时差法的多级级联精细时钟同步技术,对PTP技术进行改进和增强,然后基于该方法,通过多级时频设备光纤级联的形式实现多节点、大跨度、网络化的时频信号传递与同步输出,并解决多级级联情况下同步精度会逐级恶化的问题,实现ns量级的系统时间同步精度,保证系统各环节在高度统一的时间尺度下进行高效同步与联动工作.通过设计、试验,验证了该方法的可行性和有效性.

摘要： 市场对超软TPE的需求不断增加,凯柏胶宝推出新的解决方案来满足这_需求。该增强型产品是现有超软TPE的进一步发展,并根据客户提供的建议和多年的实践经验,适应新的应用和要求。目前该系列产品已在全球范围内销售。由于应用范围的不断扩大,人们对非常柔软、坚韧和耐用的材料有着强烈的需求。

摘要： GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景.GaN HEMT器件的特性优势与其工艺结构、材料特性密切相关.介绍了耗尽型、增强型GaN HEMT的典型器件结构,并将国内外对结构设计以及材料优化等关键技术问题的研究现状进行了综述,并概括总结了GaN HEMT的技术发展趋势和最新参数指标.

摘要： 利用70 keV和140 keV质子辐照增强型AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),得到了最大饱和电流线密度、阈值电压及栅泄漏电流线密度等关键参数的退化规律,并与常规HEMTs器件的辐照退化行为进行了比较,并通过SRIM计算结果和C-V测试结果进一步分析了 MIS-HEMTs的退化机制.结果表明,质子辐照在栅介质层和栅介质/AlGaN界面引入的辐照缺陷会导致界面态充/放电效应,使阈值电压正向漂移;辐照缺陷增加了电子穿越势垒的概率,导致栅极泄漏电流线密度增大;2维电子气(2DEG)沟道层产生的辐照缺陷俘获电子,导致2DEG密度降低,使饱和漏电流线密度降低.与常规肖特基栅器件相比,栅介质的存在使器件对质子辐照更为敏感.结合仿真计算结果可知,器件中低能质子的非电离能损区接近2DEG沟道层,是导致低能质子辐照对器件损伤更为严重的主要原因.通过变频电容分析发现,质子辐照后器件界面电荷密度增加,并引入了大量深能级缺陷.

摘要： 发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850°C下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的-3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。

摘要： 该文报道了作者研制成功的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ异质结器件。该器件以ＩｎＧａＰ作为势垒层兼腐蚀栅槽的截止层。因而获得了很好的阈值控制。通过选择合适的势垒层厚度和掺杂浓度，获得了阈值电压接近零伏的增强型ＰＨＥＭＴ器件。其最大跨导２６５ｍＳ／ｍｍ，源漏击穿电压大于７Ｖ，输出截止特性好。栅极肖特基结正向开启电压为０．７Ｖ，反向击穿电压大于１２Ｖ，在－３Ｖ反偏处，漏电流小于１０ｎＡ。由于该器件阈值均匀性、重复性好，又是增线型，因而它非常适合应用于功耗单电源微波电路的研制和生产。

摘要： 本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法，其中，p型氮化物栅的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在异质结上依次沉积第一保护层、第二保护层和p型氮化物层；步骤S2：通过第一刻蚀去除栅极区域以外的p型氮化物层直至露出第二保护层，并形成p型氮化物栅；步骤S3：通过第二刻蚀去除栅极区域以外的第二保护层，选用的第二刻蚀使得在相同刻蚀条件下，第二刻蚀对第二保护层的刻蚀速率高于其对第一保护层的刻蚀速率。通过第一刻蚀去除p型氮化物层时，受损的第二保护层可以通过对第一保护层损伤较小的第二刻蚀去除，从而能够精确地控制刻蚀的深度和均匀性。

摘要： 本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置为1nm‑5nm，再通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层；在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还在栅极区域的p型氮化物层上设置采用耐高温介质材料制备的第二保护层。在第一保护层和第二保护层的保护作用下，可以通过高温热脱附对栅极区域以外的p型氮化物层进行选择性刻蚀，从而可以实现可重复且一致性较好的刻蚀效果，而且可以保证增强型氮化物HEMT性能的可靠性。

摘要： 本发明公开了一种二次外延P型Ⅲ族氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT。在一实施案例之中，该方法包括：提供主要由Ⅲ族氮化物组成的异质结构，并在所述异质结构上制作表面钝化层和源、漏电极，使源、漏电极与异质结构表面形成欧姆接触且与其中的二维电子气电连接；对异质结构的位于栅电极正下方的表面钝化层和势垒层部分区域进行刻蚀，在势垒层内形成凹槽结构；通过选区外延技术在凹槽内势垒层表面生长P型半导体；以及，在源、漏电极之间P型半导体表面制作栅电极。本发明有效实现了增强型HEMT，且工艺简单，重复性高，成本低廉，易于进行大规模生产。

摘要： 本发明公开了一种二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT。该方法包括：提供异质结构，并在所述异质结构上制作源、漏电极，使源、漏电极与异质结构表面形成欧姆接触且还均与异质结构中的二维电子气连接；对异质结构的位于栅电极正下方的势垒层(例如AlGaN层)和N型半导体层(例如i‑GaN层)的部分区域进行刻蚀，形成穿入N型半导体层内的凹槽；通过该凹槽在N型半导体层内生长P型半导体，该P型半导体能够在栅电极接零偏压时与N型半导体层形成PN结以及在栅电极接正向电压时反型而使源、漏电极导通；以及，在源、漏电极之间制作栅电极。本发明有效实现了增强型HEMT，且工艺简单，重复性高，成本低廉，易于进行大规模生产。

摘要： 本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与所述异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了一种增强型HEMT。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。

摘要： 本发明公开了一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管，其中的方法包括如下步骤：提供包含第一半导体层和第二半导体层的异质结；第二半导体层形成于第一半导体层上，异质结中形成有二维电子气；第二半导体层包括第一势垒层、插入层和第二势垒层，插入层的热分解温度低于第二势垒层的热分解温度；对第二半导体层进行干法刻蚀形成延伸至插入层中的第一凹槽；对第一凹槽进行热分解刻蚀，形成第二凹槽；在第二凹槽中外延生长P型掺杂层；制备源极、漏极和栅极；源极和漏极均生长于第二半导体层内，栅极位于源极和漏极之间，且栅极生长于P型掺杂层上。通过执行本发明中的方法，能够实现高性能增强型晶体管器件的制备。

摘要： 公开了用于利用来自多个TRP的多个波束的增强型PDCCH传输的增强型DM‑RS的装置和方法。该装置包括：处理器，其使用多个无线发射‑接收标识确定多个激活的传输配置指示(TCI)状态以用于利用控制资源集(CORESET)中的解调参考信号(DM‑RS)的物理下行链路控制信道(PDCCH)的传输，其中该CORESET包括具有预定义的粒度的多个传输单元；并且基于TCI状态映射方案，确定TCI状态中要被用于传输单元中的每一个及其对应DM‑RS的一个；以及发射器，其发射用于激活TCI状态中的每一个的媒体访问控制(MAC)控制元素(CE)；并且使用多个无线发射‑接收标识通过具有由处理器确定的对应TCI状态的传输单元和对应DM‑RS发射PDCCH。

摘要： 本发明涉及一种增强型Au@PtNPs探针制备方法及具有增强型Au@PtNPs探针的纳米酶试纸条，增强型Au@PtNPs探针制备方法如下步骤：(1)制备Au@PtNPs溶液，(2)制备生物素化抗体，(3)制备增强型Au@PtNPs探针。利用创新的制备方法，将亲和素结合到Au@PtNPs探针中，使得其灵敏度和稳定性显著提升，再利用其制备成具有增强型Au@PtNPs探针的纳米酶试纸条，可以加强检测效果，可以对例如新冠疫情的严格排查起到关键作用。

摘要： 本发明涉及聚乙醇酸改性领域，公开了增强型改性聚乙醇酸用组合物、增强型改性聚乙醇酸材料及其制备方法与应用。该组合物中含有40‑90重量份的聚乙醇酸、10‑60重量份的无机填充材料和0.5‑10重量份的相容剂；其中，所述无机填充材料选自碳纤维、陶瓷纤维、玻璃纤维、粉煤灰、二氧化硅、碳酸钙和滑石中的至少一种；所述相容剂选自环氧类化合物、马来酸酐类聚合物和异氰酸酯类化合物中的至少一种。采用本发明的组合物，通过特定组成和含量的组分之间的彼此配合，使得得到的增强型改性聚乙醇酸材料兼具良好的弯曲性能和拉伸性能，力学综合性能优异，可满足3D打印、压力支撑球对材料力学性能的要求。

摘要： 描述了用于增强型切换过程的无线通信和能力信令的方法、系统和设备。用户装备(UE)可以向源基站传送频带组合指示符以指示UE所支持的至少一个频带组合。该源基站可以向目标基站传送源基站配置和UE所支持的至少一个频带组合以供在切换规程期间使用。然后，该目标基站可以向该源基站传送要在该切换规程中使用的目标基站配置。该源基站可向该UE传送要在该切换规程期间被应用的两种基站配置，这两种基站配置可包括数个频带组合。该UE可以在切换执行期间使用在所接收到的基站配置中指示的至少一个频带组合来与两个基站进行通信。