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鲁冰;
机译:Memsstar推出下一代MEMS蚀刻和沉积设备
机译:Memsstar的洁净室空间增加了一倍
机译:沉积温度和热退火对半导体器件干法刻蚀工艺中a-C:H膜干法刻蚀速率的影响
机译:一种使用深度反应离子刻蚀(DRIE)工具沉积氟碳薄膜的新型集成MEMS工艺
机译:氧化铜-PDMS的溶蚀刻蚀特性,用于开发微/纳米-颗粒复合MEMS腐蚀传感器
机译:具有低温沉积和蚀刻工艺的MEMS中电沉积Ni-Fe的集成
机译:通过自模板刻蚀沉积工艺从Si纳米粒子向Si @ SiO2核壳,卵黄壳和SiO2空心结构的转变
机译:科学技术:未来的挑战。国家统计局80周年座谈会系列会议记录。 1981年2月至3月
机译:等离子刻蚀工艺,在不同的径向气体注入区域中使用具有不同刻蚀速率和聚合物沉积速率的聚合刻蚀气体进行时间调制
机译:在硅板上形成和刻蚀栅极绝缘层的方法,包括在满足沉积,绝缘和显影工艺的结果时,刻蚀促进剂层和氮化硅层。
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