光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制

机译：通过反转模式控制垂直有机场效应晶体管中的阈值电压和泄漏电流

机译：快速输入矢量控制方法可降低纳米级晶体管的亚阈值泄漏电流

机译：具有三端栅极控制二极管的低于50 nm凹沟道型DRAM单元晶体管的漏电流机制

机译：使用光敏场效应晶体管与选择性传输光学滤光器集成的光敏场效应晶体管估计β-淀粉样蛋白量

机译：独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。

机译：光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响

机译：用于抑制AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中栅极漏电流的AlGaN表面控制工艺

机译：多点室温下的阈值电压改善和栅极漏电流降低操作单电子晶体管（RT-sET）

机译：使用泄漏控制晶体管来降低待机泄漏电流的方法和装置，该泄漏控制晶体管在活动模式期间接收启动的门极驱动器

机译：使用泄漏控制晶体管减少待机泄漏电流的方法和装置，该泄漏控制晶体管在活动模式期间接收升压的栅极驱动

机译：时间失效分析方法，时间失效分析装置及时间失效分析程序