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微电子所成功开发出64Mb阻变存储器晶圆

         

摘要

近日,微电子所集成电路先导工艺研发中心在阻变存储器(ReRAM)及其与标准CMOS工艺集成研究上取得进展。ReRAM作为新型的非易失性存储技术,具有读写速度快、操作电压低、使用寿命长、尺寸微缩性好及与CMOS工艺兼容性好等优点,一直备受产业界关注。

著录项

  • 来源
    《今日电子》 |2017年第3期|25|共1页
  • 作者

    Mary;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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