新型超级结MOSFET器件在PFC应用中的优势

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• 来源
  《今日电子》 |2012年第11期|39-41|共3页
• 作者

  Wonsuk Choi; DongkookSon;

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• 作者单位

  飞兆半导体（韩国）公司;

  飞兆半导体（韩国）公司;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
• 关键词

  MOSFET器件; PFC; 优势; 应用; 寄生电容; 平衡技术; 导通电阻; 开关损耗;