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TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

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P通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP采用SO-8封装，可容许比其他SO-8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。

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来源
《今日电子》 |2009年第2期|112-112|共1页
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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;变换器;
关键词
功率MOSFET; 低导通电阻; SO-8封装; 功率损耗; 封装器件; 漏电流; 可容许;

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