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杨路华; 孟锡俊;
西安中为光电科技有限公司,陕西省西安市710065;
LED外延 电子限制层 能带弯曲 渐变式Al组分;
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:纳米外延横向过长生长层上制造的GaN基LED中的热电子诱导降解
机译:重掺杂AI的4H-SiC外延层中的传导机制对AI浓度的依赖性
机译:GaN外延层和GaN / AlGaN分离限制异质结构中近阈值增益机制的比较研究
机译:GaN外延层中的电子传输。
机译:纳米外延横向过生长层上制造的GaN基LED中的热电子诱导降解
机译:通过透射电子显微镜确定的数字合金化调制前驱体外延生长的alxGa1-xN外延层的结构质量
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:通过衬底和外延层图案化来限制III型氮化物异质结构中的应变松弛
机译:用于多色led显示器的led或led原型结构的制造方法,包括通过限制沟槽来限制LED的有源表面,并形成有源表面和正面接触结构以包围限制沟槽
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