GaN垂直结构器件结终端设计

徐嘉悦; 王茂俊; 魏进; 解冰; 郝一龙; 沈波

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GaN垂直结构器件结终端设计

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得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注。与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在中高压领域的应用。在垂直器件中,一个重要的设计是利用结终端来扩展器件内部电场的分布,减轻或消除结边缘的电场集聚效应,防止功率器件的过早击穿。结合GaN垂直结构肖特基二极管(SBD)以及PN结二极管(PND),回顾了常用的结终端设计方法和工艺技术,对各自的优缺点进行了总结。此外,GaN的材料性能与传统硅(Si)以及碳化硅(SiC)材料存在较大差异,讨论了其对结终端设计和制备的影响。

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来源
《电子与封装》 |2023年第1期|40-51|共12页
作者
徐嘉悦; 王茂俊; 魏进; 解冰; 郝一龙; 沈波;
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作者单位

北京大学集成电路学院;

集成电路高精尖创新中心;

北京大学物理学院;

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正文语种 chi
中图分类 TN312.4;
关键词
宽禁带半导体; 氮化镓; 垂直结构器件; 二极管; 结终端;

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