反应离子刻蚀硅槽工艺研究

赵金茹; 蒋大伟; 陈杰

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在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀.通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法.该方法能够制作出深度6 μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发.

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来源
《电子与封装》 |2017年第9期|41-43|共3页
作者
赵金茹; 蒋大伟; 陈杰;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

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正文语种 chi
中图分类 TN405.98+3;
关键词
硅槽刻蚀; 氯气; 溴化氢; 反应离子刻蚀; 光电继电器; 硅电容;

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