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刘家璐;
离子刻蚀;
机译:纳米器件硅沟槽HBr / O_2等离子体刻蚀中反应离子刻蚀滞后特性
机译:硅锗作为硅深反应离子刻蚀的新型掩模
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀技术开发深硅相菲涅尔透镜
机译:采用时间复用蚀刻 - 钝化工艺的高纵横比siC微结构深反应离子刻蚀(DRIE)
机译:通过深反应离子刻蚀制造微系统,包括例如:提供用于深反应离子刻蚀的刻蚀工具,进行包括刻蚀步骤的深离子刻蚀的多个重复处理间隔
机译:在硅中产生深电介质隔离的反应离子刻蚀方法
机译:硅质基质浅槽和深槽的形成
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