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【2h】

Formation of silicon nanostructures with a combination of spacer technology and deep reactive ion etching

机译：结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构

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A new method of fabricating high aspect ratio nanostructures in silicon without the use of sub-micron lithographic technique is reported. The proposed method comprises two important steps including the use of CMOS spacer technique to form silicon nitride nanostructure masking followed by deep reactive ion etching (DRIE) of the silicon substrate to form the final silicon nanostructures. Silicon dioxide is used as the sacrificial layer to form the silicon nitride nanostructures. With DRIE a high etch selectivity of 50:1 between silicon and silicon nitride was achieved. The use of the spacer technique is particularly advantageous where self-aligned nanostructures with potentially unlimited lengths are formed without the need of submicron lithographic tools and resist materials. With this method, uniform arrays of 100 nm silicon nanostructures which are at least 4 μm tall with aspect ratio higher than 40 were successfully fabricated.
机译：报道了在不使用亚微米光刻技术的情况下在硅中制造高纵横比纳米结构的新方法。所提出的方法包括两个重要步骤，包括使用CMOS垫片技术形成氮化硅纳米结构的掩膜，然后对硅衬底进行深度反应离子刻蚀（DRIE）以形成最终的硅纳米结构。二氧化硅用作牺牲层以形成氮化硅纳米结构。使用DRIE，可以在硅和氮化硅之间实现50：1的高蚀刻选择性。在不需要亚微米光刻工具和抗蚀剂材料的情况下，形成具有潜在无限长度的自对准纳米结构的情况下，间隔技术的使用是特别有利的。通过这种方法，成功地制造出了至少100纳米的硅纳米结构的均匀阵列，其高度至少为4微米，长宽比大于40。

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