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朱泳; 闫桂珍; 王成伟; 杨振川; 范杰; 周健; 王阳元;
北京大学微电子学研究所微米/纳米加工技术国家重点实验室;
深反应离子刻蚀; 电隔离槽; 体微结构; 单片集成;
机译:具有超高深宽比的亚微米沟槽的深反应离子刻蚀
机译:使用深X射线光刻技术制造具有高深宽比的微结构的关键问题
机译:一种采用深反应离子刻蚀和多晶硅填充的批量微加工中的新型隔离技术
机译:影响3D芯片堆叠的高深宽比深孔中的铜填充过程的因素
机译:优化了用于MEMS旋转发动机动力系统的超深反应离子刻蚀硅组件的制造。
机译:结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构
机译:宽板试验和深槽试验得到的断裂韧性信息比较。
机译:通过深反应离子刻蚀制造微系统,包括例如:提供用于深反应离子刻蚀的刻蚀工具,进行包括刻蚀步骤的深离子刻蚀的多个重复处理间隔
机译:高深宽比接触/通孔粘合层应用的低成本解决方案,适用于深亚半微米后端生产线技术
机译:在硅半导体衬底的表面中形成宽的深电介质填充隔离沟槽的方法
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