光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽

赵志刚; 牛憨笨; 雷耀虎; 郭金川

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光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽

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为解决用光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽过程中出现均匀性差的问题,在分析了传统光助电化学刻蚀装置中存在的不足的基础上,设计并制作了一套新型大面积光助电化学刻蚀装置.该装置通过特殊设计的花洒式溶液循环机构和水冷隔热系统,解决了大面积硅片在长时间深刻蚀过程中出现的溶液升温和气泡堆积的问题.借助这套装置能够实现127 mm(5 inch)及以上大面积硅片的均匀深刻蚀.同时,通过采用以0.01 A/min的速率逐步增加刻蚀电流的方法,来补偿侧向腐蚀对槽底电流密度的影响,保证了整个刻蚀过程中硅深槽形貌的一致性.最终在整个127 mm硅片上制作出了各处均匀一致的硅深槽,深度达60μm、深宽比在20以上.

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来源
《纳米技术与精密工程（英文）》 |2010年第6期|498-503|共6页
作者
赵志刚; 牛憨笨; 雷耀虎; 郭金川;
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作者单位

深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室;

中国人民解放军76127部队;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;腐蚀试验及设备;
关键词
光助电化学刻蚀; 硅深槽; 大面积; 高深宽比; 均匀性;

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