高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究

朱泳; 闫桂珍; 王成伟; 王阳元

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高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究

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体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0～ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充。

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来源
《微纳电子技术》 |2003年第7期|113-115|共3页
作者
朱泳; 闫桂珍; 王成伟; 王阳元;
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作者单位

北京大学微电子学研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
高深宽比; 深隔离槽; 刻蚀技术; 体硅集成MEMS器件; 电隔离; 微电子机械系统;

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