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一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法

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摘要

本发明公开了一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法，该方法采用光刻胶/SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-27

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20160525 申请日:20151223

发明专利申请公布后的驳回
2016-06-22

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20151223

实质审查的生效
2016-05-25

公开

公开

1. 一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法 [P] . 中国专利： CN105600740A . 2016-05-25
2. 基于高深宽比深硅刻蚀法的硅微杯形谐振陀螺加工方法 [P] . 中国专利： CN108692740A . 2018-10-23
3. process for the fabrication of microstructures with high aspect ratio by erosionslithographie [P] . 德国专利： DE4019380C1 . 1991-12-05

机译：腐蚀光刻技术制造高深宽比的微结构的方法
4. High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same [P] . 美国专利： US5814414A . 1998-09-29

机译：高深宽比的金属微结构及其制备方法
5. High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same [P] . 美国专利： US5342737A . 1994-08-30

机译：高深宽比的金属微结构及其制备方法