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化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成

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特纳(Turner)机理对于化学刻蚀中多孔硅形成的描述中,并未对表面活性数据和纳米结构的形成进行详细解释.通过本人研究发现氧化物在纳米多孔硅薄膜的形成中并不起重要作用,硅片刻蚀的表面形貌控制取决于硅衬底与氟化物溶液反应界面间的平衡反应,由水分解或OH-引发的自上而下刻蚀都有利于均匀表面的形成,而硅原子的直接分解同时有利于多孔硅的形成,并且表面化学腐蚀形成多孔膜必然伴随着电荷载流子动力学过程.

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来源
《2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2013年|306-307|共2页
会议地点大连
作者
樊书晓; 端木庆铎;
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作者单位

中国半导体行业协会;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
纳米多孔硅薄膜; 化学刻蚀; 电荷转移; 纳米结构;

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