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在硅中形成超材料的分组纳米结构单元系统以及在其中形成和排列它们的制造方法

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本发明涉及在硅中形成超材料的分组纳米结构单元系统，以及以最佳方式将它们排列在其中的制造方法。以在硅材料内部最佳排列的方式将所述纳米结构单元分组和处理。所述方法包括通过高效地使用热电子的动能以及高效地收集在转换器中产生的所有电子，来改变基本晶体单元连同应力场、电场以及重杂质掺杂以形成以最佳排列分组的纳米结构单元的超晶格从而改善光电转换效率。

著录项

公开/公告号CN105431950A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-23

原文格式PDF
申请/专利权人赛腾高新技术公司;
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申请/专利号CN201480028253.8
发明设计人兹比格卢·库茨尼奇;帕特里克·梅里埃斯;
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申请日2014-05-13
分类号H01L31/0288(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/036(20060101);H01L31/068(20120101);H01L31/18(20060101);H01L31/20(20060101);G02B1/00(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人陈燕娴
地址法国凡尔赛
入库时间 2023-12-18 14:50:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-30

授权

授权
2016-08-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0288 申请日:20140513

实质审查的生效
2016-03-23

公开

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