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深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法

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本发明公开一种深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法，针对深反应离子刻蚀技术在制作具有可动结构的器件中出现的可动结构释放后即受到较大破坏的问题，采用牺牲层固定可动结构，使器件可动结构在进行深反应离子刻蚀工艺时始终保持静止不释放状态以保护可动结构的完整性，而采用后续的无损去牺牲层方法释放可动结构并最终完成器件的制作，提高可动器件制作中的成品率。

著录项

公开/公告号CN1137287C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-02-04

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海冶金研究所;浙江大学;
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申请/专利号CN00119595.6
发明设计人王东平;王文辉;李铁;杨艺榕;王跃林;
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申请日2000-08-11
分类号C23F1/02;B81B5/00;
代理机构上海智信专利代理有限公司;
代理人费开逵
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 08:56:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-10-07

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-02-04

授权

授权
2001-01-24

公开

公开
2000-12-27

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效

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专利
中文文献
外文文献

1. 深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法 [P] . 中国专利： CN1137287C . 2004.02.04
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