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机译:基于反应离子刻蚀的具有倾斜侧壁的聚酰亚胺牺牲层的制备
机译:通过感应耦合等离子体反应离子刻蚀制造具有22°底切侧壁的GaN基LED
机译:通过深度反应离子蚀刻和基于牺牲层的平面内硅片微流体与开放的毛细管微流体网络
机译:通过牺牲微粒模板上含氮杂内酯聚合物多层的反应性逐层组装,制备共价交联和具有胺反应性的微囊
机译:使用低温牺牲聚合物的实时反应离子蚀刻共振传感器的制作
机译:对用作多芯片模块介电层的聚酰亚胺薄膜的蚀刻和表面改性特性的研究。
机译:共价交联和胺活性的制作 通过吖内酯 - 含反应层与层之间的微胶囊大会 聚合物多层膜在牺牲微粒模板
机译:基于反应离子蚀刻制备具有倾斜侧壁的牺牲聚酰亚胺层