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基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法

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本发明公开了一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法。所述方法包括：对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替对硅片进行处理；其中，所述参数包括：等离子体气体流量、刻蚀平板功率、钝化平板功率、线圈功率和刻蚀、钝化周期、温度。本发明直接对硅片表面进行等离子体处理，通过调节选取合适的刻蚀工艺参数，在无需任何纳米掩膜的条件下即可在硅片表面生成大范围、高密度的纳米结构。并且，该制备黑硅的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺集成。

著录项

公开/公告号CN101734611B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN200910241981.8
发明设计人张海霞;孙广毅;高天乐;
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申请日2009-12-16
分类号H01L21/302(20060101);B81C1/00(20060101);B82B3/00(20060101);
代理机构11255 北京市商泰律师事务所;
代理人麻吉凤;毛燕生
地址 100871 北京市海淀区中关村颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 09:07:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-08-31

授权

授权
2010-09-01

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20091216

实质审查的生效
2010-06-16

公开

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