L波段大功率开关的研制

孟向俊; 杨磊; 黄贞松; 宋艳; 许庆

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L波段大功率开关的研制

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根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理.采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上.相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作简单.实现在L波段上,通过峰值功率500W、占空比30％的脉冲信号,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于35 dB.

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来源
《电子与封装》 |2016年第7期|34-38|共5页
作者
孟向俊; 杨磊; 黄贞松; 宋艳; 许庆;
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作者单位

南京电子器件研究所,南京211111;

南京电子器件研究所,南京211111;

南京电子器件研究所,南京211111;

南京电子器件研究所,南京211111;

南京电子器件研究所,南京211111;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类互连及多层布线技术;
关键词
多芯片模块; 氮化铝陶瓷基板; 大功率开关;

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