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一款异步256kB SRAM的设计

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摘要

在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展.文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns.

著录项

来源
《电子与封装》 |2007年第10期|17-20|共4页
作者
潘培勇; 李红征;
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作者单位

江南大学信息工程学院,江苏,无锡,214036;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
静态随机存储器; 存储单元; 译码器; 灵敏放大器; 地址变化探测电路;

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