不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应

张骏

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不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应

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文章主要讨论在相同工艺条件下,针对不同栅氧厚度(例如:Tox分别为150A、200A、250A)的NMOSFET进行加速应力试验,在试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定的值时(例如:阈值电压改变50mV),可以得到器件的应力寿命,由此估计该器件在正常工作条件下的寿命值,并对该工艺的热栽流子注入效应进行评价.

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来源
《电子与封装》 |2006年第6期|37-39|共3页
作者
张骏;
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作者单位

东南大学电子工程系,江苏,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
热载流子效应; 栅氧厚度; 寿命;

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