A Simulation Study of Hot Carrier Effects in SoI-Like Bulk Silicon nMOS Device

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• 来源
  《Electron Devices, IEEE Transactions on》 |2015年第1期|23-27|共5页
• 作者

  Wang Y.; He X.; Shan C.;

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• 作者单位

  College of Information and Communication Engineering, Harbin Engineering University, Harbin, China;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Degradation; Logic gates; MOSFET; Silicon; Silicon carbide; Stress; Bulk silicon; SoI-like; SoI-like.; fully depleted (FD) silicon- on-insulator (SoI) nMOS; fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SoI) nMOS; hot carrier effects (HCEs);

  机译：退化;逻辑门;MOSFET;硅;碳化硅;应力;块状硅;SoI类;SOI类;完全耗尽（FD）绝缘体上硅（SoI）nMOS;完全耗尽（FD）硅上绝缘体（SoI）nMOS;热载流子效应（HCE）;