抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究

谢儒彬; 张庆东; 纪旭明; 吴建伟; 洪根深

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抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究

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基于0.18 μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8VNMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化.研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5.75年,满足在1.1 Vdd电压下工作寿命大于0.2年的规范要求.探索总剂量辐射效应与热载流子效应的耦合作用,对比辐照与非辐照器件的热载流子损伤,器件经辐照并退火后,受到的热载流子影响变弱.评估加固工艺对器件HCI可靠性的影响,结果表明场区总剂量加固工艺并不会造成热载流子损伤加剧的问题.

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来源
《电子与封装》 |2017年第4期|30-3348|共5页
作者
谢儒彬; 张庆东; 纪旭明; 吴建伟; 洪根深;
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作者单位

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072;

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正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
辐射加固; 总剂量效应; 热载流子效应; 0.18 μm;

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