100nm GaN基6～18GHz低噪声放大器的研制

李建平; 吴少兵

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100nm GaN基6～18GHz低噪声放大器的研制

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cqvip:基于南京电子器件研究所的100nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了6~18GHz宽带低噪声放大器。低噪声单片电路采用了三级结构,偏置电压为12V,电流约为70mA时,在6~18GHz频带内噪声系数小于1.7dB,增益大于25dB,驻波比小于2,1 dB增益压缩点输出功率带内最小值约为10dBm。前两级采用电流复用结构,降低了功耗;后级采用并联反馈结构,改善带内增益平坦度。芯片尺寸为2.0mm×1.35mm。

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来源
《电子与封装》 |2019年第9期|28-3147|共5页
作者
李建平; 吴少兵;
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作者单位

南京电子器件研究所南京210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类低噪声放大器;
关键词
氮化镓; 宽带; 低噪声放大器;

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