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都文和; 刘睿; 程秀娟; 杨占宇;
齐齐哈尔大学通信与电子工程学院 黑龙江齐齐哈尔161006;
带隙基准; 温度系数; 电源抑制比; 温度补偿;
机译:7-nm FinFET中的1V带隙基准电压源,具有可编程的温度系数,并且在-45°C至125°C范围内的精度为±0.2%
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:1.6 ppm /°C带隙基准电压源,扩展了工作温度范围
机译:具有宽工作温度范围的5V 10ppm /°C CMOS带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:具有直接带隙和新型光电特性的新型硅相
机译:新型直接带隙半导体的合成,表征,性能和性能;最终的评论。 2004年7月15日至2005年10月15日
机译:温度补偿带隙基准电压源
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