GaN HEMT器件封装技术研究进展

著录项

• 来源
  《电子与封装》 |2021年第2期|前插1-前插21-12|共14页
• 作者

  鲍婕; 周德金; 陈珍海; 宁仁霞; 吴伟东; 黄伟;

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• 作者单位

  黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心 安徽黄山245041;

  多伦多大学电气与计算机工程学院 加拿大多伦多M5S3G4;

  复旦大学微电子学院 上海200443;

  清华大学无锡应用技术研究院 江苏无锡214072;

  黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心 安徽黄山245041;

  清华大学无锡应用技术研究院 江苏无锡214072;

  黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心 安徽黄山245041;

  多伦多大学电气与计算机工程学院 加拿大多伦多M5S3G4;

  复旦大学微电子学院 上海200443;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 封装及散热问题;
• 关键词

  GaN高电子迁移率晶体管; 封装; 寄生电感; 热管理;