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本刊通讯员;
嵌入式闪存; 知识产权; TSMC; 车用; 硅; 电子产品; 第二代;
机译:飞利浦的新型0.18微米嵌入式闪存是一种2T内存技术
机译:飞利浦新的0.18μm嵌入式闪存是2T内存技术
机译:单晶片多晶硅工程技术,用于改善0.18- / splμ/ m浮栅闪存中的过擦除
机译:高级嵌入式非易失性存储器技术的工艺鉴定策略-Philips 0.18 / spl mu / m嵌入式闪存盒
机译:辐射硬化微处理器,嵌入式闪存和测试结构的硅后验证。
机译:发送电子邮件提醒有关在ClinicalTrials.gov上发布结果的法律要求的影响:队列嵌入式实用型随机对照试验
机译:采用0.18 µm CMOS(CMOSP18 / TSMC)技术的通用放大器模块(UAM)及其在模拟信号处理中的一些应用
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:嵌入式闪存卡和使用该嵌入式闪存卡的电子设备,以及用于嵌入式闪存卡的工程板
机译:两步式源极侧注入,可改善0.18μm以下深层闪存技术中的源电阻和短沟道效应
机译:源极侧硼注入和漏极侧MDD注入,用于0.18微米以下的深层闪存
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