Single-wafer polysilicon engineering for the improvement of over erase in a 0.18-/spl mu/m floating-gate flash memory

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• 来源
  《IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing》 |2003年第2期|p.155-164|共10页
• 作者

  Tuung Luoh; Tzung-Ting Han; Yun-Chi Yang; Kuang-Chao Chen; Hsueh-Hao Shih; Yaw-Lin Hwang; Cheng-Chen Hsueh; Chung H.; Pan S.; Chih-Yuan Lu;

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• 作者单位

  Si Lab., Macronix Int. Corp. Ltd., Hsinchu, Taiwan;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  silicon; elemental semiconductors; semiconductor thin films; flash memories; grain refinement; CVD coatings; single-wafer polysilicon grain engineering technology; over erase; floating-gate flash memory; surface morphology; reaction kinetics; microgr;

  机译：硅;元素半导体半导体薄膜;闪存;晶粒细化CVD涂层;单晶圆多晶硅晶粒工程技术;过度擦除浮栅闪存;表面形态反应动力学微粉;