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提高浮栅型闪存擦除效率的方法以及浮栅型闪存

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本发明涉及提高浮栅型闪存擦除效率的方法以及浮栅型闪存，在半导体基底上的第一浮栅区域和第二浮栅区域，依次叠加形成隧穿氧化层、浮栅层、垫氧化层和氮化硅层，接着在垫氧化层和氮化硅层中形成贯通的开口，并对暴露的浮栅层进行局部氧化工艺，利用局部氧化工艺的鸟嘴效应，使得剩余的浮栅层表面形成与半导体基底形成的夹角是锐角的斜面，并且，该斜面覆盖相对的第一浮栅区域与第二浮栅区域的边界，通过刻蚀浮栅层分别在第一浮栅区域和第二浮栅区域形成第一浮栅和第二浮栅，并且在第一浮栅区域和第二浮栅区域之间形成擦除栅，在被擦除栅覆盖的区域，第一浮栅和第二浮栅上的拐角的形状更尖，有利于提高浮栅型闪存的擦除效率。

著录项

公开/公告号CN108122920B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司;
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申请/专利号CN201711330909.3
发明设计人罗清威;李赟;周俊;
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申请日2017-12-13
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
入库时间 2022-08-23 10:28:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-26

授权

授权
2018-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11521 申请日:20171213

实质审查的生效
2018-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20171213

实质审查的生效
2018-06-05

公开

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2018-06-05

公开

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2018-06-05

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