机译:单晶片多晶硅工程技术,用于改善0.18μm浮栅闪存中的过擦除
CVD coatings; elemental semiconductors; flash memories; grain refinement; semiconductor thin films; silicon; 0.18 micron; LPCVD growth; Si; floating-gate flash memory; high-temperature stability; micrograin polysilicon thin film; over erase; reaction kinetics; single-;
机译:单晶片多晶硅工程技术,用于改善0.18- / splμ/ m浮栅闪存中的过擦除
机译:浮栅多晶硅耗尽对nand闪存的擦除效率的影响
机译:解耦等离子体氮化的ISSG隧道氧化物对NOR型浮栅闪存的擦除特性的影响
机译:隧道氧化物带隙工程改进Sonos闪存的擦除特性
机译:硅量子点浮栅闪存设备的计算机建模。
机译:有擦除让事情更清楚? SchmidtLiefooghe&De Houwer()的评论:任务切换效果的eocodic模型:从内存中删除homunculus
机译:65 nm技术中的1G-Cell浮栅和闪存,具有100ns随机接入时间