基于硅微通道板宏孔硅腐蚀速率的影响因素研究

余金豪

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本文报道了硅电化学腐蚀过程中宏孔硅腐蚀速率的影响因素研究.通过改变HF溶液浓度、表面活性剂类型、腐蚀电压三个方面进行光电化学腐蚀实验.通过电子显微镜和金相显微镜观测宏孔硅,并通过软件VNT Quantlab-HD对腐蚀深度进行测量,计算宏孔硅腐蚀速率.研究HF溶液浓度、表面活性剂类型、腐蚀电压对宏孔硅腐蚀速率影响.

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来源
《电子世界》 |2018年第3期|14-15,18|共3页
作者
余金豪;
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作者单位

长春理工大学;

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正文语种 chi
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关键词
宏孔硅; 腐蚀速率; 影响因素;

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