衬底温度对反应溅射ZnO：Al透明导电薄膜性能的影响

余嘉晗; 刘金彪; 邓衍明

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衬底温度对反应溅射ZnO：Al透明导电薄膜性能的影响

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衬底温度在反应溅射制备ZnO：Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数，直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法，采用锌铝合金（Al的含量为2%）靶，在衬底温度170℃，工作压力2.5mTorr，氧氩比3/18的条件下，制备了ZnO：Al薄膜，利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析，利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能，研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜的结构、电学、光学性能的影响，结果表明，随着衬底温度的升高，薄膜的电阻率先下降后上升，而可见光范围平均透过率在85%以上，当衬底温度为170℃，工作压力2.5mTorr，氧氩比3/18时，薄膜电阻率最低为2.16×10-4Ω·cm，方块电阻30Ω时，在可见光光范围内平均透过率高于85%。

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来源
《电子世界》 |2013年第21期|92-92,93|共2页
作者
余嘉晗; 刘金彪; 邓衍明;
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作者单位

中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;

中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;

浙江嘉康电子股份有限公司;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
磁控溅射; ZnO:Al薄膜; 衬底温度; 电阻率; 透过率;

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