硅圆片等离子表面活化直接键合工艺研究

黄蓉; 聂磊; 文昌俊; 余军星

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硅圆片等离子表面活化直接键合工艺研究

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利用等离子轰击硅圆片表面,可提高其表面能,实现直接键合.在严格控制好工艺参数的情况下,用等离子体对硅圆片表面进行活化,能大大的提高键合强度,产生极少的空洞或空隙,得到一个较好的键合效果.本文针对等离子表面活化的工艺特点,选择了合理的参数,得到了较优化的工艺,试验结果证明此工艺能够实现无明显界面缺陷的直接键合.

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来源
《电子世界》 |2012年第21期|103-104|共2页
作者
黄蓉; 聂磊; 文昌俊; 余军星;
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作者单位

湖北工业大学机械工程学院;

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湖北工业大学机械工程学院;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
等离子; 表面活化; 关键因素;

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