区熔硅单晶生长过程建模综述

云娜; 庞炳远

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针对区熔法高阻硅单晶的生长过程描述和基本特征,以晶体生长基本原理为基础,从生长机理与模型建立热传导模型(晶体内的热量传输模型和固液界面处的热量传输模型)、热对流模型(晶体表面与氩气之间的对流传热模型和熔体内的对流传热模型)热辐射模型等方面进行了阐述,并针对高品质区熔硅单晶生长提出了相应的研究思路和方法.

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来源
《电子工业专用设备》 |2018年第3期|7-9,31|共4页
作者
云娜; 庞炳远;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.053;
关键词
区熔法; 硅单晶; 过程建模;

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