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256M／1G DRAM工艺及前道制造设备

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介绍了２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ产品技术指标，工艺及前道制造设备，包括光刻机，腐蚀设备，离子注入设备，热处理设备、溅射金属ＣＶＤ设备和绝缘膜ＣＶＤ设备等。

著录项

来源
《电子工业专用设备》 |1997年第2期|12-18|共7页
作者
翁寿松;
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作者单位

中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类光刻、掩膜;
关键词
256M／1G; DRAM; 设备; 半导体制造工艺; 光刻;

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