C/C预制体孔隙率与气相硅浸渗制备C/SiC复合材料性能关系的模型研究

刘伟; 刘荣军; 曹英斌; 杨会永

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建立了C/C预制体孔隙率与C/SiC复合材料组成的关系模型,并通过表征不同孔隙率的C/C预制体气相硅浸渗制备的C/SiC复合材料的组成和力学性能对模型进行了验证。研究发现,实验结果与模型预测结果基本一致。随着C/C预制体孔隙率的增大,C/SiC复合材料的密度出现先上升后下降的规律,力学性能也遵从同样的规律。XRD分析和相含量测试结果均表明复合材料的相含量与模型预测结果基本一致。实验结果与模型预测结果产生偏差的主要原因是裂解碳反应不完全。

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来源
《复合材料科学与工程》 |2013年第2期|52-56|共5页
作者
刘伟; 刘荣军; 曹英斌; 杨会永;
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作者单位

西北核技术研究所;

国防科学技术大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非金属复合材料;
关键词
C; C; C; SiC; 孔隙率; 模型; 气相硅浸渗;

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