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掺AS硅单晶片外延技术

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摘要

本文论述的N/N+EPI,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层.因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重,如何控制好EPI层的掺杂浓度一致性,便成为N/N+外延的技术难题.

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来源
《甘肃科技》 |2004年第6期|4934|共2页
作者
苗文生;
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作者单位

天昊电子有限公司,甘肃,天水,734000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
掺砷衬底; 外延(EPI); 自掺杂; 自封闭;

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