Si7655DN：MOSFET

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Vishay Intertechnology推出采用3．3mm×3．3mm封装以实现在4．5V栅极驱动下4．8mΩ大导通电阻的20VP沟道MOSFET器件Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28％，同时保持相同的PCB布版样式。

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来源
《世界电子元器件》 |2013年第2期|30-30|共1页
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
MOSFET器件; 低导通电阻; 栅极驱动; P沟道; PCB; 封装;

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