酸性环境下GaN晶圆的化学机械抛光工艺研究

孔秦浩; 罗晓菊; 王现英

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酸性环境下GaN晶圆的化学机械抛光工艺研究

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本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP) 工艺.使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaC1O浓度和抛光液pH值对GaN CMP工艺的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)的影响.研究发现,无论是影响化学作用的因素,还是影响机械作用的因素,都对MRR有着极大的影响.在优化的工艺条件下(压力为50 kPa、抛光头转速为60rpm、抛光盘转速为100 rpm、流量为40 mL/min、抛光液pH为4.0、氧化剂浓发为3 vol.％),最大材料去除率为1.07 μm/h.在10 μm×l0μm的区域内,抛光后的平均表面粗糙度为0.109 nm.

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来源
《广东化工》 |2021年第8期|4-8|共5页
作者
孔秦浩; 罗晓菊; 王现英;
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作者单位

上海理工大学材料科学与工程学院上海200093;

镓特半导体科技(上海)有限公司上海201306;

镓特半导体科技(上海)有限公司上海201306;

上海理工大学材料科学与工程学院上海200093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺及设备;
关键词
GaN; NaClO; 化学机械抛光; 工艺参数; 材料去除率; 平均粗糙废;

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