GaN基LED芯片金属晶圆键合工艺研究

声明

摘要

引言

1 晶圆键合

1．1 键合概述

1．2 键合条件

1．3 前期准备工作

1．3．1 表面活化处理

1．3．2 预键合

1．3．3 热处理

1．4 键合的种类及应用

1．4．1 直接键合

1．4．2 阳极键合

1．4．3 金属键合

1．4．4 低温键合

2 实验设备及表征

2．1 实验仪器简介

2．1．1 仪器配置图

2．1．2 键合机特征与主要参数

2．1．3 操作步骤

2．1．4 具体操作流程

2．2 表征手段

2．2．1 超声扫描显微镜(SAM)

2．2．2 弯曲度(Bow)和翘曲度(Warp)

2．2．3 光致发光光谱(PL)

3 键合温度、压力及衬底材料对金属键合的研究

3．1 实验

3．2 结果与分析

3．2．1 键合的有效面积

3．2．2 翘曲度

3．3 本章小结

4 降温过程中温度和压力的变化率对金属键合的研究

4．1 实验

4．2 结果与讨论

4．2．1 温度变化率的影响

4．2．2 压力变化率的影响

4．2．3 温度和键合压力同时变化的影响

4．3 本章小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间发表学术论文情况

致谢