硅基AIGaN-MOS功率器件热阻压降的测试

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• 来源
  《黑龙江科技信息》 |2018年第32期|5-7|共3页
• 作者

  程德明; 胡文新; 胡一波; 吴翠丰;

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• 作者单位

  黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司,安徽 祁门 245600;

  黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司,安徽 祁门 245600;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 功率晶体管;
• 关键词

  硅基氮化镓; MOS管; 热阻; 压降;