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赵震;
俄罗斯科学院A.F.Loffe物理技术研究所 Polytekhnicheskaya 26 圣彼得堡俄罗斯194021;
量子点; 后退火工艺; 光致荧光; 注入式半导体激光器;
机译:通过后期生长快速热退火调节高In含量InGaAs / GaAs封盖的InAs量子点的光学特性
机译:尺寸不均匀分布对InGaAs / InGaAsP量子点光谱光学增益特性的影响
机译:非均匀尺寸分布对InGaAs / IngaAsp量子点的光谱光学增益特性的影响
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:InGaAs交叉影线图案上生长和退火的InAs量子点的光学性质
机译:退火对InGaas / Gaas量子点结构和光学性质的影响
机译:用于长波发射的InGaasN / Gaas量子阱和量子点结构的光学特性。
机译:用于测量或影响电或电化学参数的电极装置具有电极,该电极包括多个量子点,这些量子点具有受照明影响的电特性
机译:用于制备包含量子点和包括量子点的量子点和电子设备的量子点光学构件的量子点方法
机译:含量子点的固化性组合物,含量子点的固化物,光学构件的制造方法以及显示装置的制造方法
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