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【2h】

Optical properties of as-grown and annealed InAs quantum dots on InGaAs cross-hatch patterns

机译：InGaAs交叉影线图案上生长和退火的InAs量子点的光学性质

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InAs quantum dots (QDs) grown on InGaAs cross-hatch pattern (CHP) by molecular beam epitaxy are characterized by photoluminescence (PL) at 20 K. In contrast to QDs grown on flat GaAs substrates, those grown on CHPs exhibit rich optical features which comprise as many as five ground-state emissions from [1-10]- and [110]-aligned QDs, two wetting layers (WLs), and the CHP. When subject to in situ annealing at 700°C, the PL signals rapidly degrades due to the deterioration of the CHP which sets the upper limit of overgrowth temperature. Ex situ hydrogen annealing at a much lower temperature of 350°C, however, results in an overall PL intensity increase with a significant narrowing and a small blueshift of the high-energy WL emission due to hydrogen bonding which neutralizes defects and relieves associated strains.
机译：通过分子束外延在InGaAs交叉影线图案（CHP）上生长的InAs量子点（QD）的特征是在20 K下具有光致发光（PL）。与在平坦的GaAs衬底上生长的QD相比，在CHP上生长的QD具有丰富的光学特性。包括来自[1-10]和[110]对齐的量子点，两个润湿层（WL）和CHP的多达五个基态发射。当在700°C下进行原位退火时，由于CHP的劣化，PL信号迅速劣化，而CHP设置了过度生长温度的上限。然而，在低得多的350°C温度下进行的异位氢退火会导致总PL强度增加，同时由于中和缺陷并缓解相关应变的氢键作用，高能WL发射的显着变窄和蓝移很小。

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