铁电场效应晶体管材料设计的研究进展

高武; 李星星; 刘礼祥; 张志伟; 郭伟钦

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铁电场效应晶体管(FeFET)作为最有潜力的下一代非易失性存储器之一,引起研究人员的广泛关注。本文系统阐述了Fe FET的工作原理及结构设计,介绍了Fe FET结构中铁电材料和缓冲层材料的探索历程及所对应的器件性能。本文提出了一种新型Fe FET结构设计,有望改善薄膜之间的界面效应。最后总结了Fe FET的研究进展,并对未来研究做出展望。

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来源
《信息记录材料》 |2023年第2期|28-31|共5页
作者
高武; 李星星; 刘礼祥; 张志伟; 郭伟钦;
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作者单位

五邑大学智能制造学部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
铁电场效应晶体管; 非易失性存储器; 铁电材料; 缓冲层材料; 界面效应; 薄膜; 结构设计; 器件性能;

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