两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

刘炜

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两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

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比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果:前者固定表面电荷密度为2×1011cm-2,后者为1.5×1011cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后,在反偏1 V时,阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法,工艺过程易于控制,钝化效果一致性较好,器件的界面状态更加稳定。

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来源
《红外与激光技术》 |2013年第7期|1815-1818|共4页
作者
刘炜;
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作者单位

中国空空导弹研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
InSb; 红外探测器; 钝化; 阳极氧化; Photo-CVD;

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