InSb红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀

沈祥伟; 吕衍秋; 刘炜; 曹先存; 何英杰

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InSb红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀

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随着大规模InSb红外焦平面（FPA）器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当比例的柠檬酸/H2O2系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂,同时采用N2气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明,新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应,提高了刻蚀均匀性和平整度,减小了表面粗糙度,并明显降低了InSb器件的漏电流,提高了电性能。

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来源
《红外与激光技术》 |2014年第9期|2805-2809|共5页
作者
沈祥伟; 吕衍秋; 刘炜; 曹先存; 何英杰;
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作者单位

1. 中国空空导弹研究院 2. 红外探测器技术航空科技重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
InSb焦平面阵列; 湿法刻蚀; 柠檬酸/H2O2系刻蚀剂; N2搅拌;

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